Иоффе абрам федорович интересные факты
По этому поводу в Ленинграде в Академии наук проходила конференция по физике полупроводников. Неудивительно, что в его честь были названы кратер на Луне и научно-исследовательское судно, малая планета и Airbus A, улицы и площади в разных странах мира Хоть и с трудом вливалась в тематику, но это всё так интересно. А свою "семью" он не боялся защищать ни перед кем, даже перед самым большим начальством.
Иоффе, основатель физико-механического факультета института». Линцбах Е. Герой Социалистического Труда Абрам Иоффе. Как же здорово, когда нет ожиданий к книге и в итоге получаешь увлекательное и интересное чтение. Почти сразу становится ясно, что книга для определённого круга читателей: автор беспощаден к несведущим, приходилось периодически "охлаждать котелок" от раскопок былых познаний в физике. Хоть и с трудом вливалась в тематику, но это всё так интересно.
Несомненно чувствуется лёгкий налёт "советскости", но это не плохо. Читая главу про Эйнштейна очень захотелось узнать о нём подробнее, благо в закромах уже как пару лет припасена Борис Кузнецов - Эйнштейн.
Абрам Федорович Иоффе 16 книг 4 читателя. Рейтинг автора складывается из оценок его книг. На графике показано соотношение положительных, нейтральных и негативных оценок. Поделиться Скопировать ссылку.
Об авторе Книги 16 Рецензии 1 Подборки 6 Изображения 5. Абрам Иоффе — об авторе Предложить изменения. Встречи с физиками Поделиться.
О физике и физиках Поделиться. Полупроводники Поделиться. Физика полупроводников Поделиться. Полупроводники и их применение Поделиться. Физика и сельское хозяйство Поделиться. Полупроводники в современной физике Поделиться.
Основные представления современной физики Поделиться. Сборник статей к десятилетию со дня смерти. Лукирский, И. Обреимов, Н. Семенов, Ю. Вальтер, В. Латкарее, А. Лейпунский, К. Синельников и многие др.
До г. Научные работы посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. Особенно значительный вклад был сделан им в физику и технику полупроводников, он один из первых указал основные направления применения полупроводников. Уже в докторской диссертации, выполненной в лаборатории Рентгена в Мюнхене, Иоффе проявил мастерство экспериментатора и решил важный в то время вопрос упругого последействия в кристаллах, за что ему была присуждена степень доктора с высшим отличием.
Классическими стали его исследования пластической деформации рентгенографическим методом. Изучая механические свойства кристаллов, он обнаружил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности. Это открытие имело важное значение для техники. Иоффе первый выяснил вопрос о так называемых электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кристалла.
Определил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, и разработал методы очистки кристаллов. Работы Иоффе с сотрудниками по изучению электрической прочности тонких слоев диэлектриков завершились созданием новых электротехнических материалов и разработкой методов устранения перенапряжений. В начале х годов научные интересы Иоффе сосредоточились в области физики полупроводников, где он со своими сотрудниками достиг больших успехов, открыв ряд явлений, важных для технического применения.
Исследовав целый ряд полупроводников, он обнаружил, что на их электрические свойства очень сильно влияют примеси, в частности было выяснено, что последние в широком диапазоне меняют их проводимость и знак носителей тока.
Открытым явлениям, в частности механизму проводимости полупроводников, Иоффе дает четкое объяснение. Он формулирует новую идею о природе полупроводниковых свойств большой группы интерметаллических сплавов - дальтонидов - и подробно изучает их. Благодаря этому был открыт путь к созданию полупроводниковых материалов, свойства которых можно изменять в широких пределах. Важной проблемой физики полупроводников, которой также занимался Иоффе, была проблема выпрямления.
В конце х годов он сформулировал представление о механизме выпрямления, которое в общих чертах и сегодня является общепринятым и в значительной мере способствовало успехам промышленного изготовления диодов.
Большой вклад внес Иоффе также в проблему применения термо- и фотоэлектрических свойств полупроводников для преобразования тепловой и световой энергии в электрическую.
